top of page
  • FORCLEAN

Российский EUV-литограф 7нм от ИПФ РАН: первая цель - 28нм

Некоторые уже посчитали, что раз есть демонстрационный образец, который позволил получать разрешение до 7нм, то именно такое разрешение и получат серийные образцы. И поспешили. Пока что разработчики ставят перед собой в качестве ориентира условные нормы 28нм.

Не будут повторять, что для многих применений - этого достаточно, причем заодно снижаются требования к точности совмещения и дефектам маски, что важно для текущих российских условий. Но даже с такими "скромными" целями, на разработки придется потратить еще несколько лет. Сколько - не ясно, зависит от ряда причин, но предположительно, речь идет о 3-5 годах, но это не точно. Также разработчики решили не замахиваться на скорости как у ASML в плане производительности, если она будет в 3-4 раза ниже, не страшно, т.к. российский рынок не настолько велик, чтобы тратить на повышение производительности ценное время и немалые ресурсы. Числовая апертура также будет скромнее - 0,25, что конечно снижает разрешение, но позволяет упростить конструкцию. Будут в конструкции и свои находки, в частности, вместо очень сложного источника излучения на основе оловянных капель-плюшек будет применяться источник на основе ксенона 11,24 нм, что ... увеличит разрешение, почти полностью компенсируя недостаточно высокую числовую апертуру. В итоге потери пространственного разрешения ожидаются на уровне на 10% меньше, чем у ASML. Обещаются и другие плюсы от такого источника. Он не только сам проще и дешевле, но и зеркала под него можно использовать с более высоким коэффициентом отражения (до 72% для рутениево-бериллиевых), чем у молибденово-кремниевых, которые применяет ASML.

Связаться с нами можно: -по телефонам: +7 (831) 262-19-71 (доб.200), +7 (495) 120-57-63 -по почте: info@forcleanrussia.ru -на сайте: forclean.tech #forclean #форклин #ооофорклин #чистыепомещения #производствочистыхпомещений #производствоконструкцийчистыхпомещений

Comments


bottom of page